高真空多靶磁控濺射鍍膜系統 性能參數
1、本臺設備主要是以磁控濺射的方式實現鍍膜功能的，整套設備操作簡便，綜合功能多，擴展空間大。
2、系統主要由四靶濺射室，MJCB-200型磁控濺射靶,樣品轉臺、真空系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統,直流電源、和計算機控制鍍層系統等組成。
3、 濺射室：為約Ф600mm×500mm不銹鋼圓柱形腔體。濺射室前開門密封方式，外表采用噴丸和電解拋光工藝處理，上蓋密封方式并電動提升，真空室內設有不銹鋼防污板。前面和側面各裝有一個觀察窗CF100,一個四芯引線等。下面裝有4個MJCB-200型磁控濺射靶，靶基距可調,該磁控濺射靶可在0.1Pa-1Pa之間真空度長時間穩定起輝，無滅弧現象，適應于Mo、Si、Ru等金屬和半導體材料的鍍膜; 每塊靶有獨立的勻氣環，下面裝有4個RF兼容磁控靶，四靶之間裝有隔板防止交叉污染。CF150備用法蘭，二個進氣閥法蘭等。真空室可內烘烤100～150℃，極限真空5×10-5Pa。
4、樣品臺：一個樣品位，樣品直徑220mm，可自轉，可公轉和可升降，靶基距可調；公轉的轉速可隨位置自動調節（可編程）也可在設定靶位下停留設定時間。樣品臺公轉轉速0-5rpm，公轉位置控制精度0.1?；自轉轉速0-500rpm，樣品臺可調節高度：50-150mm；承重不超過40kg。
5、MJCK-600高真空磁控濺射鍍膜系統現貨價：70萬元人民幣。
