MJCK550磁控濺射鍍膜設備樣品臺樣片架可公轉,可自轉,可升降,基片加熱溫度1300度。
超高真空分子束外延室與磁控濺射聯合實驗平臺系統,左邊數第一個第二個真空室是分子束外延室真空度可達2X10-7Pa,基片加熱溫度1700度,第三個是進樣室,第四個是磁控濺射室,磁控濺射室基片加熱溫度1300度